SPP03N60S5

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数据手册

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SPP03N60S5
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    3.2 A
  • 最高 ID
    3.2 A
  • 最高 IDpuls
    5.7 A
  • 最高 Ptot
    38 W
  • QG
    12.4 nC
  • 最高 RDS (on)
    1400 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    3.3 K/W
  • Rth
    3.3 K/W
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    3.5 V 至 5.5 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 最低 工作温度
    -55 °C
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

特性

  • 创新高压技术
  • 全球最佳 R TO-251 和 TO-252 中的 DS(on)
  • 超低栅极电荷
  • 周期性雪崩额定值
  • 极高 dv/dt 额定值
  • 超低有效电容
  • 提高跨导

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区