SPW15N60CFD

数据手册

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SPW15N60CFD
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数据手册

商品详情

  • ID max
    13.4 A
  • ID (@25°C) max
    13.4 A
  • IDpuls max
    33 A
  • Ptot max
    156 W
  • QG
    63 nC
  • QG (typ @10V)
    63 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    330 mΩ
  • RDS (on) max
    330 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.8 K/W
  • Rth
    0.8 K/W
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    3 V to 5 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247
  • 工作温度 min
    -55 °C
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CoolMOS ™是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计，由英飞凌科技率先推出。CoolMOS™ C6/E6 系列将我们作为领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新相结合。CoolMOS ™ CFD 的替代品是 600V CoolMOS ™ CFD7    
 
CoolMOS ™ CFD2
 的特性和应用 提高了成本性能、轻载效率并在 EMI 和低电压过冲方面易于使用。软开关谐振拓扑具有硬换向要求，需要快速体二极管。

特性

  • CoolMOS ™的第四个系列于 2004 年进入市场
  • 快速体二极管，Qrr 是 C3 系列的 1/10，Vth 为 4 V，g fs 高，Rg 低
  • 专用于相移 ZVS 和 DC-AC 电源应用

产品优势

  • 提高效率
  • 更高效、更紧凑、更轻便、更散热
  • 凭借久经考验的 CoolMOS ™品质和高体二极管耐用性，实现了卓越的可靠性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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