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概述

我们提供三相、半桥、高边和低边栅极驱动 IC，专为 1200 V 工业驱动、商用空调或通用电机控制和逆变器应用量身定制。

主要特性
  • 低静态电流
  • 各种输入选项
  • 标准引脚布局和封装
  • 防直通逻辑
应用
马达控制
家用空调

产品

关于

EiceDRIVER™ 1200 V 电平转换栅极驱动 IC

我们为需要功能隔离的 1200 V 应用提供业界领先的电平转换栅极驱动 IC 产品组合。

这些驱动器有各种三相、半桥或高低侧配置，具有过流保护 (OCP)、去饱和 (DESAT)、欠压锁定 (UVLO)、交叉传导预防逻辑、故障、启用和关断等状态指示器等保护功能。还提供状态指示（故障）、使能和关机控制信号。

1200 V 栅极驱动器采用英飞凌的电平移位结隔离技术或英飞凌独特的绝缘体上硅 (SOI) 技术。

EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 应用

1200 V 电平移位栅极驱动器 IC 可驱动 1200 V TRECHSTOP ™ IGBT、1200 V CoolSiC™ MOSFET 以及 1200 V EconoPIM ™和 EasyPACK ™模块，适用于各种电力电子应用，例如通用驱动器、泵、热泵、风扇、商用和家用空调，功率高达 12 kW。

EiceDRIVER™ 平移绝缘体上硅 (SOI) 技术

我们的绝缘体上硅（SOI）技术是一种高电压电平转换技术，具有同类优异的独特优势，包括集成自举二极管（BSD）和业界优秀的稳健性，可抵御负瞬态电压尖峰。每个晶体管都由内部的二氧化硅隔离，从而消除了导致锁存的寄生双极晶体管。该技术还能降低电平转换功率损耗，从而最大限度地降低器件开关功耗。这种先进的工艺可实现单片式高压和低压电路结构，并具有更多技术优势。

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EiceDRIVER™ 1200 V 电平转换栅极驱动 IC

p-n 结隔离 (JI) 技术是一种成熟的、久经考验的行业标准 MOS/CMOS 制造工艺。我们专有的高压集成电路 (HVIC) 和防闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。先进的工艺可实现单片式高压和低压电路结构，具有最佳性价比。 

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EiceDRIVER™ 1200 V 电平转换栅极驱动 IC

我们为需要功能隔离的 1200 V 应用提供业界领先的电平转换栅极驱动 IC 产品组合。

这些驱动器有各种三相、半桥或高低侧配置，具有过流保护 (OCP)、去饱和 (DESAT)、欠压锁定 (UVLO)、交叉传导预防逻辑、故障、启用和关断等状态指示器等保护功能。还提供状态指示（故障）、使能和关机控制信号。

1200 V 栅极驱动器采用英飞凌的电平移位结隔离技术或英飞凌独特的绝缘体上硅 (SOI) 技术。

EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 应用

1200 V 电平移位栅极驱动器 IC 可驱动 1200 V TRECHSTOP ™ IGBT、1200 V CoolSiC™ MOSFET 以及 1200 V EconoPIM ™和 EasyPACK ™模块，适用于各种电力电子应用，例如通用驱动器、泵、热泵、风扇、商用和家用空调，功率高达 12 kW。

EiceDRIVER™ 平移绝缘体上硅 (SOI) 技术

我们的绝缘体上硅（SOI）技术是一种高电压电平转换技术，具有同类优异的独特优势，包括集成自举二极管（BSD）和业界优秀的稳健性，可抵御负瞬态电压尖峰。每个晶体管都由内部的二氧化硅隔离，从而消除了导致锁存的寄生双极晶体管。该技术还能降低电平转换功率损耗，从而最大限度地降低器件开关功耗。这种先进的工艺可实现单片式高压和低压电路结构，并具有更多技术优势。

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EiceDRIVER™ 1200 V 电平转换栅极驱动 IC

p-n 结隔离 (JI) 技术是一种成熟的、久经考验的行业标准 MOS/CMOS 制造工艺。我们专有的高压集成电路 (HVIC) 和防闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。先进的工艺可实现单片式高压和低压电路结构，具有最佳性价比。 

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文档

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新闻与亮点

英飞凌SOI栅极驱动器技术的优势

来自市场领导者的 1200 V 绝缘体上硅电平移位栅极驱动器。该视频演示了采用英飞凌 SOI 产品的优势。例如集成自举二极管，低电平转换损耗 - 节省空间和成本。

英飞凌栅极驱动器简介

什么是栅极驱动器？为什么要使用栅极驱动器？如何使用栅极驱动器？观看我们的介绍视频并成为栅极驱动器专家。