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产品
关于
EiceDRIVER™ 2L-SRC Compact 系列 (1ED32xx) 实现了两级压摆率控制 (2L-SRC),提供对两个独立栅极电阻器的控制。它是一个单通道隔离栅极驱动器系列,输出电流高达 18 A,输出电源电压范围宽。该系列产品通过了 UL 1577(VISO = 5.7 kV(有效值))和 VDE 0884-11(增强隔离)(VIORM = 1797 V(峰值))认证。
EiceDRIVER™ SRC 增强型系列(1EDS-SRC)标志着实现多级压摆率控制的高端压摆率控制栅极驱动器系列。
EiceDRIVER™ 2L-SRC Compact 系列(1ED32xx)优化了栅极驱动器电路,在启动和轻载运行期间降低了 dV 和 dt 以及电磁干扰 (EMI),并最大限度地降低了高负载运行期间的开关损耗。在运行过程中,可根据栅极电阻的变化即时调整压摆率,从而在不改变 BOM 和不影响 EMI 性能的情况下优化系统输出功率。
该栅极驱动器系列可提供 10 A 和 18 A 的驱动电流。它还包括一个米勒钳位,强烈推荐用于使用 0 V 关断电压的功率开关,以避免寄生导通。它的额定电压高达 2300 V,可支持远远超过 1200 V 阻断电压的功率开关。此外,UL 1577 和 VDE 0884-11(加强隔离)认证确保了卓越的应用安全性和较长的运行寿命。该产品系列具有高电压和高安全性能,适用于对隔离要求苛刻的应用,如 1700 V 工业驱动器。此外,它还非常适合太阳能系统、不间断电源和电动汽车充电等应用。
主要优点包括两级压摆率控制功能 (2L-SRC)、适用于特定应用的 2300 V 功能偏置电压、电气隔离的无芯变压器栅极驱动器、18 A 典型的灌电流和电源峰值输出电流、40 V 绝对最大输出电源电压、短路钳位和主动关断、大于 200 kV/μs 的高共模瞬态抗扰度(CMTI),以及具有较大爬电距离(大于 8 mm)的 DSO-8 300 mil 宽体封装(最大)。带35 ns(典型值)输入滤波器的110 ns 延迟时间、35 ns 输入滤波器,并针对 650 V、1200 V、1700 V 和 2300 V IGBT 以及 Si 和 SiC MOSFET 进行了优化。
与传统解决方案相比,具有压摆率控制的EiceDRIVER™ 具有重要的关键特性,例如,2L-SRC,可优化栅极电阻,用于EMI测量以及电机控制和驱动应用中的正常工作,集成滤波器可减少对外部滤波器的需求,输出之间的传输延迟匹配为1 ns,IEC 60747-17 / VDE 0884-11,VIORM = 1767 V(峰值, 增强型)、 可用于 1700 V 驱动逆变器应用的高隔离能力、输出之间的紧密传输延迟匹配(可实现优于分立解决方案的压摆率控制功能)、精确的阈值和时序,结合 UL 和 VDE-11 认证,可实现卓越的应用安全性,以及严格的 IC 到 IC 导通传输延迟匹配(最大 15ns)。
EiceDRIVER™ 2L-SRC Compact 系列 (1ED32xx) 实现了两级压摆率控制 (2L-SRC),提供对两个独立栅极电阻器的控制。它是一个单通道隔离栅极驱动器系列,输出电流高达 18 A,输出电源电压范围宽。该系列产品通过了 UL 1577(VISO = 5.7 kV(有效值))和 VDE 0884-11(增强隔离)(VIORM = 1797 V(峰值))认证。
EiceDRIVER™ SRC 增强型系列(1EDS-SRC)标志着实现多级压摆率控制的高端压摆率控制栅极驱动器系列。
EiceDRIVER™ 2L-SRC Compact 系列(1ED32xx)优化了栅极驱动器电路,在启动和轻载运行期间降低了 dV 和 dt 以及电磁干扰 (EMI),并最大限度地降低了高负载运行期间的开关损耗。在运行过程中,可根据栅极电阻的变化即时调整压摆率,从而在不改变 BOM 和不影响 EMI 性能的情况下优化系统输出功率。
该栅极驱动器系列可提供 10 A 和 18 A 的驱动电流。它还包括一个米勒钳位,强烈推荐用于使用 0 V 关断电压的功率开关,以避免寄生导通。它的额定电压高达 2300 V,可支持远远超过 1200 V 阻断电压的功率开关。此外,UL 1577 和 VDE 0884-11(加强隔离)认证确保了卓越的应用安全性和较长的运行寿命。该产品系列具有高电压和高安全性能,适用于对隔离要求苛刻的应用,如 1700 V 工业驱动器。此外,它还非常适合太阳能系统、不间断电源和电动汽车充电等应用。
主要优点包括两级压摆率控制功能 (2L-SRC)、适用于特定应用的 2300 V 功能偏置电压、电气隔离的无芯变压器栅极驱动器、18 A 典型的灌电流和电源峰值输出电流、40 V 绝对最大输出电源电压、短路钳位和主动关断、大于 200 kV/μs 的高共模瞬态抗扰度(CMTI),以及具有较大爬电距离(大于 8 mm)的 DSO-8 300 mil 宽体封装(最大)。带35 ns(典型值)输入滤波器的110 ns 延迟时间、35 ns 输入滤波器,并针对 650 V、1200 V、1700 V 和 2300 V IGBT 以及 Si 和 SiC MOSFET 进行了优化。
与传统解决方案相比,具有压摆率控制的EiceDRIVER™ 具有重要的关键特性,例如,2L-SRC,可优化栅极电阻,用于EMI测量以及电机控制和驱动应用中的正常工作,集成滤波器可减少对外部滤波器的需求,输出之间的传输延迟匹配为1 ns,IEC 60747-17 / VDE 0884-11,VIORM = 1767 V(峰值, 增强型)、 可用于 1700 V 驱动逆变器应用的高隔离能力、输出之间的紧密传输延迟匹配(可实现优于分立解决方案的压摆率控制功能)、精确的阈值和时序,结合 UL 和 VDE-11 认证,可实现卓越的应用安全性,以及严格的 IC 到 IC 导通传输延迟匹配(最大 15ns)。
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本次培训深入了解了宽带隙器件的系统优势,这将在功率密度、效率和/或电池续航里程具有决定性作用的领域赢得市场份额。培训重点关注移动充电器和车载充电器两种应用,并将讨论当今解决方案面临的挑战以及 SiC 和 GaN 如何提供更高水平的性能。