USB-C 充电器和适配器

探索我们的 USB-C 适配器和充电器电路解决方案，这些解决方案支持 USB 供电标准，具有更高的功率水平

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概述

从高功率密度到性能比，我们的解决方案满足您的一起需求。凭借英飞凌全面的高品质USB-C电源传输解决方案组合——涵盖多端口USB集线器IC、USB-C充电模块、65W USB等产品——助您规避复杂性与兼容性问题，缩短产品上市时间。以极具竞争力的成本突破快充设计的瓶颈。立即行动，开启变革。

产品优势

  • 高效率和功率密度
  • 高功率（包括 EPR）
  • PD 控制器，可实现多端口系统解决方案
  • 降低 BOM 成本
  • GaN 充电器技术
  • 系统级支持

框图

关于

关于 USB-C 适配器和充电器

USB-C 供电 （USB-PD） 已成为统一和快速充电的标准，并为所有类型的移动设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能扬声器、电视等）提供高达 100 W 的功率。 最新的USB-PD Rev3.1标准将最大充电功率提升至惊人的240W。

英飞凌适用于完整 USB-C PD 系统的广泛产品组合包括适用于初级开关、SR 和负载开关、初级侧 PWM 控制、SR 和协议控制以及 ESD 保护的解决方案。

市场趋势

USB-C 简化了终端用户体验，加上氮化镓器件的引入和开关频率的提高，使充电器和适配器更加紧凑、轻便。 随着越来越多的原始设备制造商 (OEM) 不再将充电器/适配器与设备一起销售，终端用户对售后市场供应的需求也随之增加。

这一变化引发了多端口充电器的开发，如 1A1C 或 2C 设计，其中 1A1C 代表带有一个C型连接器和一个 A 型连接器的充电器。 英飞凌 EZ-PD™ CCG7DC 是一款专为双端口集线器设计的双端口 USB 集线器 IC，具有两个降压-升压转换器和完全可编程功能，可实现负载分担。 英飞凌的双端口充电器参考设计应用笔记，包含了详细的双端口 USB 集线器电路图。 此外，与限制为 3 A 的标准电缆相比，使用最高的 USB-PD 额定功率需要特定的 USB E-Mark 电缆，该电缆支持的最大电流为 5 A。

原型制作

英飞凌提供各种基于准谐振 （QR）、ZVS 和混合反激式操作的充电器参考设计和相关 USB 充电原理图，可满足不同的功率水平和功率密度要求。 我们创新的单端口和双端口 USB-C 控制器是完全可编程的，可以根据特定要求轻松定制。

USB Type-C 充电器原理图和 USB 充电器适配器电路图采用了英飞凌基于硅和 GaN 的高电压和低电压电源开关、USB-PD 电源和协议控制器、USB-C 电缆标记控制器、以及ESD 保护设备的全面组合。

我们的参考设计允许快速轻松地开发原型，制造商可以从新的快速充电适配器技术中受益，同时降低开发成本并缩短上市时间。 凭借在电子行业数十年的经验，英飞凌在不影响产品效率和性能的情况下推动了适配器小型化的发展趋势。

USB-PD 充电技术

USB 供电 （USD-PD） 是一种通用标准，用于为任何具有 USB-C 端口的设备充电或供电，包括那些额定功率更高的设备，如硬盘驱动器、打印机、笔记本电脑、和具有大电池容量的智能手机。 USB-PD 充电器和适配器可以提供所需的电量，能为各种设备供电。 Source 和 sink 通过 USB-PD 协议进行通信，sink 定义所需功率。 充电电压和电流由电源、USB-PD 充电器或电源适配器作相应调整。

氮化镓充电器技术

英飞凌的创新 CoolGaN™ 技术为功率晶体管树立了新标准。 CoolGaN™ 产品采用氮化镓（GaN）晶体管代替硅。 与硅 MOSFET 相比，GaN HEMT 具有更高的临界电场，可实现出色的特定动态导通电阻和更小的电容，这使得 GaN HEMT 非常适合高开关频率的应用。 GaN晶体管能以更少的死区时间工作，因而可以提高效率、提供更好的散热效果。 在高开关频率下运行可以缩小无源元件的体积，从而提高整体功率密度。 总体而言，GaN 支持更小、更轻的充电器和适配器，同时仍能提供相同或更好的性能和充电速度。

关于 USB-C 适配器和充电器

USB-C 供电 （USB-PD） 已成为统一和快速充电的标准，并为所有类型的移动设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能扬声器、电视等）提供高达 100 W 的功率。 最新的USB-PD Rev3.1标准将最大充电功率提升至惊人的240W。

英飞凌适用于完整 USB-C PD 系统的广泛产品组合包括适用于初级开关、SR 和负载开关、初级侧 PWM 控制、SR 和协议控制以及 ESD 保护的解决方案。

市场趋势

USB-C 简化了终端用户体验，加上氮化镓器件的引入和开关频率的提高，使充电器和适配器更加紧凑、轻便。 随着越来越多的原始设备制造商 (OEM) 不再将充电器/适配器与设备一起销售，终端用户对售后市场供应的需求也随之增加。

这一变化引发了多端口充电器的开发，如 1A1C 或 2C 设计，其中 1A1C 代表带有一个C型连接器和一个 A 型连接器的充电器。 英飞凌 EZ-PD™ CCG7DC 是一款专为双端口集线器设计的双端口 USB 集线器 IC，具有两个降压-升压转换器和完全可编程功能，可实现负载分担。 英飞凌的双端口充电器参考设计应用笔记，包含了详细的双端口 USB 集线器电路图。 此外，与限制为 3 A 的标准电缆相比，使用最高的 USB-PD 额定功率需要特定的 USB E-Mark 电缆，该电缆支持的最大电流为 5 A。

原型制作

英飞凌提供各种基于准谐振 （QR）、ZVS 和混合反激式操作的充电器参考设计和相关 USB 充电原理图，可满足不同的功率水平和功率密度要求。 我们创新的单端口和双端口 USB-C 控制器是完全可编程的，可以根据特定要求轻松定制。

USB Type-C 充电器原理图和 USB 充电器适配器电路图采用了英飞凌基于硅和 GaN 的高电压和低电压电源开关、USB-PD 电源和协议控制器、USB-C 电缆标记控制器、以及ESD 保护设备的全面组合。

我们的参考设计允许快速轻松地开发原型，制造商可以从新的快速充电适配器技术中受益，同时降低开发成本并缩短上市时间。 凭借在电子行业数十年的经验，英飞凌在不影响产品效率和性能的情况下推动了适配器小型化的发展趋势。

USB-PD 充电技术

USB 供电 （USD-PD） 是一种通用标准，用于为任何具有 USB-C 端口的设备充电或供电，包括那些额定功率更高的设备，如硬盘驱动器、打印机、笔记本电脑、和具有大电池容量的智能手机。 USB-PD 充电器和适配器可以提供所需的电量，能为各种设备供电。 Source 和 sink 通过 USB-PD 协议进行通信，sink 定义所需功率。 充电电压和电流由电源、USB-PD 充电器或电源适配器作相应调整。

氮化镓充电器技术

英飞凌的创新 CoolGaN™ 技术为功率晶体管树立了新标准。 CoolGaN™ 产品采用氮化镓（GaN）晶体管代替硅。 与硅 MOSFET 相比，GaN HEMT 具有更高的临界电场，可实现出色的特定动态导通电阻和更小的电容，这使得 GaN HEMT 非常适合高开关频率的应用。 GaN晶体管能以更少的死区时间工作，因而可以提高效率、提供更好的散热效果。 在高开关频率下运行可以缩小无源元件的体积，从而提高整体功率密度。 总体而言，GaN 支持更小、更轻的充电器和适配器，同时仍能提供相同或更好的性能和充电速度。

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