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符合RoHS标准

EB 2ED2410 3D 1BCDP

EiceDRIVER ™ APD 2ED2410-EM - 24 V 评估 MOSFET 子板,共漏极,预充电
每件.
有存货

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EB 2ED2410 3D 1BCDP
EB 2ED2410 3D 1BCDP
每件.

商品详情

  • 供电电压
    3 V to 36 V
  • 尺寸
    60 mm x 47 mm
  • 拓扑结构
    High-Side, Back to Back common drain, High-side switch
  • 目标应用程序
    Automotive, Relays, Power Distribution, Construction and agricultural vehicles (CAV)
  • 系列
    EiceDRIVER™ Gate Driver, OptiMOS™
  • 认证标准
    Automotive
  • 输入类型
    DC
OPN
EB2ED24103D1BCDPTOBO1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 N/A
封装名 N/A
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称 N/A
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
该子板(EB 2ED2410 3D 1BCDP)是汽车配电评估板系列的一部分。它由两个 60V OptiMOSTM5 功率 MOSFET(1.1 mOhm)组成,采用背对背共漏极配置。它可以寻址一个负载通道并提供专用的预充电路径。其他可用的子板包括 EB 2ED2410 3D 1BCS、EB 2ED2410 3D 1BCD 和 EB 2ED2410 3D 1BCSP,每种子板都有自己独特的配置和功能。

特性

  • Suitable for 12 and 24 V board nets
  • In combination with board EB 2ED2410 3M
  • 0,5 mOhm shunt resistor
  • 60 V OptiMOSTM5 power MOSFET
  • MOSFET temp monitoring using NTC
  • Dedicated pre-charge path for loads
  • 20 A continuous or 30 A for 10 min

应用

文档

设计资源

图表

EB-2ED2410-3D-1BCDP-schematics
EB-2ED2410-3D-1BCDP-schematics
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