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32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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EVAL_BUP_06N_1
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EVAL_BUP_06N_1
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OPN
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EVALBUP06N1TOBO1 | |
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| 包装尺寸 | 1 | |
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60 V 耐辐射 BUP06CN035L-01 N 沟道 MOSFET 的开环半桥评估板，由高端和低端 2ED21844S06J 绝缘体上硅栅极驱动器驱动。
特性
- 半桥功率级配备两个 60 V/35 A RT Si MOSFET
- 配备 2ED21844S06J 半桥栅极驱动器 IC，支持单 PWM 输入
- 支持双输入 PWM 2ED21824S06J 半桥栅极驱动器 IC
- 板载可调电阻网络，可实现 2ED21844S06J 或 2ED21824S06J 的一系列死区时间
- 灵活的开环功率级可配置用于各种工作条件
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