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无铅

BFP720FESD

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数据手册
封装
评估板

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BFP720FESD
BFP720FESD
数据手册

商品详情

  • fT
    45 GHz
  • Gmax
    28.50 dB @900 MHz
  • IC max
    30 mA
  • NFmin
    0.55 dB @900 MHz
  • OIP3
    22 dBm
  • OP1dB
    7 dBm
  • Ptot
    100 mW
  • VCEO max
    4.2 V
  • 封装
    TSFP-4
OPN
BFP720FESDH6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TSFP-4-1
封装名 N/A
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TSFP-4-1
封装名 -
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
BFP720FESD 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)，具有集成 ESD 保护功能

特性

  • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：21 dBm 最大 RF 输入功率，2 kV HBM ESD 硬度。
  • 高过渡频率 fT = 45 GHz，以实现高频下最佳的噪声系数：NFmin = 0.8 dB（5.5 GHz、3V、5 mA）
  • 高增益 Gms = 22 dB（5.5 GHz、3V、15 mA）
  • OIP3 = 21 dBm（5.5 GHz、3V、15 mA）
  • 薄型小尺寸无引线封装

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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