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无铅

BGA8V1BN6

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封装

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BGA8V1BN6
BGA8V1BN6
数据手册

商品详情

  • I
    4.2 mA
  • IIP3
    -3 dBm
  • NF
    1.2 dB
  • P-1dB (in)
    -15 dBm
  • VCC operating
    1.6 V to 3.1 V
  • Gain
    15 dB
  • Frequency
    3300 - 3800 MHz
OPN
BGA8V1BN6E6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TSNP-6-2
封装名 N/A
包装尺寸 15000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TSNP-6-2
封装名 -
包装尺寸 15000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
BGA8V1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器，覆盖 3.3 GHz 至 3.8 GHz 的宽频率范围。该 LNA 在 4.2mA 电流消耗下提供 15.0 dB 增益和 1.2 dB 噪声系数。在旁路模式下，LNA 提供 5.3 dB 的插入损耗。BGA8V1BN6 基于英飞凌科技 B9HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.6 V 至 3.1 V。该设备具有多状态控制（关闭、旁路和高增益模式）。

特性

  • 插入功率增益：15.0 dB
  • 旁路模式下的插入损耗：5.3 dB
  • 低噪声系数：1.2dB
  • 低电流消耗：4.2mA
  • 工作频率：3.3 - 3.8 GHz
  • 多态控制：关闭、旁路和高增益模式
  • 电源电压：1.6 V 至 3.1 V
  • 超小型 TSNP-6-2 无铅封装（占用空间：0.7 x 1.1 mm2）
  • B9HF 硅锗技术
  • RF 输入和 RF 输出内部匹配至 50 Ohm
  • 无需外部 SMD 元件
  • 2kV HBM ESD 保护（包括 AI 引脚）
  • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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