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停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

BSB280N15NZ3 G

停产
数据手册
封装

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BSB280N15NZ3 G
BSB280N15NZ3 G
数据手册

商品详情

  • Ciss
    1200 pF
  • Coss
    180 pF
  • ID (@25°C) max
    30 A
  • IDpuls max
    120 A
  • Ptot max
    57 W
  • QG (typ @10V)
    15 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    28 mΩ
  • Rth
    2.2 K/W
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Package
    DirectFET(M)
  • Operating Temperature
    -40 °C to 150 °C
  • Micro-stencil
    IRF66MZ-25
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    1.03
OPN
BSB280N15NZ3GXUMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
MG-WDSON-2
封装名 DirectFET MZ
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
MG-WDSON-2
封装名 DirectFET MZ
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
与排名第二的竞争对手相比，150V OptiMOS ™的 R DS(on) 降低了 40%，品质因数 (FOM) 降低了 45%。这一重大改进开辟了新的可能性，例如从引线封装转向 SMD 封装或用一个 OptiMOS ™部件有效地替换两个旧部件。

特性

  • 卓越的开关性能
  • 全球最低的 RDS(on)
  • 极低的 Qg 和 Qgd
  • 卓越的栅极电荷 x RDS(on) 乘积 (FOM)
  • 符合 RoHS 标准 - 无卤素
  • MSL1 评级为 2

产品优势

  • 环保
  • 提高效率
  • 最高功率密度
  • 所需并联更少
  • 最小的电路板空间消耗
  • 易于设计的产品

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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