BSF450NE7NH3
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

BSF450NE7NH3

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封装
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BSF450NE7NH3
BSF450NE7NH3
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数据手册


商品详情

  • Ciss
    390 pF
  • Coss
    110 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    15 A
  • 最高 IDpuls
    60 A
  • 最高 Ptot
    18 W
  • QG (typ @10V)
    6 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    45 mΩ
  • 最高 RthJA
    58 K/W
  • 最高 RthJC
    7 K/W
  • Rth
    7 K/W
  • 最高 VDS
    75 V
  • VGS(th) 范围
    2.3 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3.1 V
  • 封装
    DirectFET (S)
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 150 °C
  • 微型模板
    IRF66ST-25
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.56

OPN
BSF450NE7NH3XUMA2
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
MG-WDSON-4
封装名 DirectFET (S)
封装尺寸 4800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
视图替换

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
MG-WDSON-4
封装名 DirectFET (S)
封装尺寸 4800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
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75V OptiMOS ™技术专门用于同步整流应用。这些 75V 产品基于领先的 80V 技术，同时具有最低的导通电阻和卓越的开关性能。

特性

  • 优化的同步整流技术
  • 最佳开关性能
  • 全球最低的 R DS(on)
  • 极低的 Q g 和 Q gd
  • 优异的栅极电荷 x R DS(on) 乘积 (FOM)
  • 符合 RohS 标准 - 无卤素
  • MSL3 级

产品优势

  • 环保
  • 提高效率
  • 最高功率密度
  • 所需并联更少
  • 最小的电路板空间消耗
  • 易于设计的产品
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