BSP298

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采用 SOT-223 封装的 N 沟道小信号 MOSFET 400 V
数据手册

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BSP298
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商品详情

  • Ciss
    300 pF
  • Coss
    50 pF
  • 最高 ID
    0.5 A
  • 最高 IDpuls
    2 A
  • 最高 Ptot
    1.8 W
  • 最高 RDS (on)
    3000 mΩ
  • 最高 VDS
    400 V
  • VGS(th) 范围
    2.1 V 至 4 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SOT-223
  • 最低 工作温度
    -55 °C
  • 极性
    N
  • 模式
    Enhancement
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
英飞凌科技为汽车和工业制造商提供广泛的 N 和 P 沟道小信号 MOSFET 产品组合，这些产品满足并超越知名行业标准封装的最高质量要求。凭借无与伦比的可靠性和制造能力，这些组件非常适合各种应用，包括 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制。

特性

  • 增强模式
  • 正常级别
  • 雪崩额定值
  • 快速开关
  • Dv/dt额定值
  • 无铅镀层
  • 符合RoHS标准，不含卤素
  • 符合汽车标准
  • 具备PPAP功能

产品优势

  • 低 RDS(on) 提供更高的效率并延长电池寿命
  • 小型封装节省 PCB 空间
  • 一流的质量和可靠性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区