现货，推荐
符合RoHS标准

BSZ070N08LS5

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平在小型封装中提供低 RDS(on)
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封装
评估板
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BSZ070N08LS5
BSZ070N08LS5
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商品详情

  • Ciss
    1800 pF
  • Coss
    280 pF
  • ID (@25°C) max
    40 A
  • IDpuls max
    160 A
  • Ptot max
    69 W
  • Qgd
    5 nC
  • QG (typ @4.5V)
    14.1 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    9.4 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) max
    9.4 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    7 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    1.8 K/W
  • Rth max
    1.8 K/W
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    PQFN 3.3 x 3.3
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Pin Count
    8 Pins
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    0.43
受到推崇的
OPN
BSZ070N08LS5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3x3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3x3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平非常适合无线充电、适配器和电信应用。该器件的低栅极电荷（Q g）降低了开关损耗，同时不影响传导损耗。改进的性能系数使器件可以在高频下运行。 此外，逻辑电平 MOSFET 的栅极阈值电压 (VGS (th))比较低，可以在5V电压下直接由微控制器驱动。

特性

  • 小型封装，低导通电阻 DS(on)
  • 低栅极电荷
  • 低输出电荷
  • 逻辑电平兼容性

产品优势

  • 更高功率密度设计
  • 更高开关频率
  • 减少零件数量
  • 直接由微控制器驱动
  • 降低系统成本

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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