CY14B101LA-SZ25XI

数据手册

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CY14B101LA-SZ25XI
CY14B101LA-SZ25XI
数据手册

商品详情

  • 密度
    1024 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    25 ns
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CY14B101LA-SZ25XI为1 Mbit nvSRAM（128 K×8），每个SRAM单元集成QuantumTrap非易失存储。单电源2.7 V至3.6 V，-40°C至+85°C工作，数据保持20年、STORE耐久度1,000 K次。掉电自动STORE需外接VCAP电容（61 µF至180 µF）；STORE/RECALL也可由软件或HSB引脚触发。25 ns访问，32引脚SOIC。

特性

  • QuantumTrap nvSRAM架构
  • 1 Mbit SRAM带非易失存储
  • 掉电AutoStore用VCAP
  • HSB引脚或软件STORE
  • 上电或软件触发RECALL
  • tSTORE最大8 ms
  • tHRECALL最大20 ms
  • tRECALL最大200 µs
  • VCC 2.7 V到3.6 V
  • 数据保持20年
  • 非易失STORE 1000K次
  • VCC<2.65 V禁止写入

产品优势

  • 突然掉电仍可保存数据
  • 减少NVM管理固件工作
  • 上电后快速恢复数据
  • 软硬件均可控制存取
  • 保存时间可预测(≤8 ms)
  • 上电恢复可预测(≤20 ms)
  • 掉电/欠压防误写
  • 3 V电源适配常见系统
  • 20年保持适合记录存储
  • 100万次STORE可频繁保存
  • 无限SRAM读写适合高频
  • HSB忙信号简化时序

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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