现货，推荐
符合RoHS标准

CY15B101N-ZS60XM

高度可靠、低功耗的数据记录存储器，具有几乎无限的耐用性
数据手册
封装

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CY15B101N-ZS60XM
CY15B101N-ZS60XM
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -55 °C to 125 °C
  • 工作电压
    2 V to 3.6 V
  • 引线球表面
    NiPdAu and Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    64Kx16
  • 认证标准
    Military
  • 速度
    60 ns
推荐的
OPN
CY15B101N-ZS60XM
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 270
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 270
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
F-RAM（铁电随机存取存储器或 FeRAM）是一种独立的非易失性存储器，可让您在电源中断时立即捕获并保存关键数据。它们是任务关键型数据记录应用的理想选择，例如飞行控制错误记录或改善生活质量的患者监测设备。F-RAM 采用低功耗、小尺寸设计，可提供即时非易失性和几乎无限的耐用性，同时不会影响速度或能源效率。

特性

  • 1 Mbit (64K x 16) 密度
  • SRAM 兼容、行业标准 64K x 16 SRAM 引脚排列
  • 英飞凌的即时写入技术
  • 无限读/写耐久性
  • 120 年数据保留
  • -55°C 至 125°C
  • 44 引脚 TSOP

产品优势

  • 无需担心电池问题
  • 超低功耗
  • 能耗比 EEPROM 低 200 倍
  • 比 NOR 闪存少 3000 倍
  • 以总线速度执行写入操作
  • 不会发生写入延迟
  • 不受外部磁场影响
  • 真正的表面贴装，无需返工步骤
  • 耐潮湿、抗冲击、抗振动性能出色

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }