现货，推荐
符合RoHS标准

IGD03N120S7

1200 V、3 A IGBT7 S7，采用 TO-252-3 引脚封装
数据手册
封装

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IGD03N120S7
IGD03N120S7
数据手册

商品详情

  • Eoff
    0.27 mJ
  • Eon
    0.29 mJ
  • IC (@ 25°) max
    10 A
  • IC (@ 100°) max
    6 A
  • ICpuls max
    9 A
  • Ptot max
    45 W
  • QGate
    24 nC
  • td(off)
    142 ns
  • td(on)
    18 ns
  • tf
    272 ns
  • tr
    18 ns
  • VCE(sat)
    2 V
  • VCE max
    1200 V
  • VGE(th)
    5.7 V
  • Package
    PG-TO252-3
  • Switching Frequency
    2 kHz to 20 kHz
  • Technology
    TRENCHSTOP™ IGBT7
受到推崇的
OPN
IGD03N120S7ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
硬开关 1200 V、3 A 单TRENCHSTOP ™ IGBT7 S7分立器件，采用 TO-252 封装，提供低 VCEsat，可在目标应用中实现非常低的传导损耗。

特性

  • VCE = 1200 V
  • 我C = 3A
  • Tvj = 150°C 时低 VCEsat = 2 V
  • 短路耐用性 8 µs
  • 广泛的 dv/dt 可控性

产品优势

  • 高压紧凑设计。辅助电源
  • 降低 EMI 电磁干扰

文档

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设计资源

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