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符合RoHS标准

IGI60F2020A1L

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CoolGaN ™集成功率级 (IPS) 半桥 600 V,提供高密度、高效率解决方案

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IGI60F2020A1L
IGI60F2020A1L

商品详情

  • ID (@ TA=25°C) max
    5.2 A
  • IDpuls (@25°C) max
    14.1 A
  • QG
    1.5 nC
  • RDS (on) (typ)
    200 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • Mounting
    SMT
  • Generation
    ≤ G3
OPN
IGI60F2020A1LAUMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 N/A
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 -
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IGI60F2020A1L 结合了由两个 200 mΩ(典型值)组成的半桥功率级。RDS(on)) / 600 V 增强模式 CoolGaN ™ HEMT,带有专用栅极驱动器,采用小型 8 x 8 mm QFN-28 封装。 因此,它非常适合利用 CoolGaN ™电源开关的卓越开关行为来支持高密度 AC-DC 充电器和适配器的设计。英飞凌的 CoolGaN ™和相关电源开关提供了非常坚固的栅极结构。当在“导通”状态下由几 mA 的连续栅极电流驱动时,始终可以保证最小导通电阻 RDS(on) ,且不受温度和参数变化的影响。 该驱动器利用片上无芯变压器技术(CT)实现信号电平转换至高端。此外,即使对于高于 300 V/ns 的极快开关瞬变,CT 也能保证稳健性。

特性

  • 带有数字输入、电源输出构建模块的隔离数字输入
  • 应用程序可配置的开关行为
  • 快速、高精度且稳定的时序
  • 热增强型 8x8mm QFN-28

产品优势

  • 通过 2x 数字 PWM 输入轻松驱动
  • 系统 BOM 成本低
  • 通过简单的 RC 接口实现门路径的完全可配置性
  • 允许短死区时间设置以最大限度地提高系统效率
  • 小型封装,适用于紧凑型系统设计

应用

文档

设计资源

开发者社区

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