现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IGI65D1414A3MS

两个半桥配置的 140 mΩ / 650 V GaN 晶体管
数据手册
封装
评估板
每件.
有存货

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IGI65D1414A3MS
IGI65D1414A3MS
每件.
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商品详情

  • RDS (on) (typ)
    140 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • 封装
    QFN-32
  • 环保认证
    RoHS compliant, Halogen free
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    CoolGaN™ Transistor Dual 650 V G5
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
IGI65D1414A3MSXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TIQFN-32
封装名 N/A
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TIQFN-32
封装名 -
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IGI65D1414A3MS 将半桥功率级与两个 140 mΩ（RDS(on) 典型值）/ 650 V 增强模式 CoolGaN ™晶体管结合在一个小型 6x8 mm QFN-32 封装中。 该产品非常适合利用 CoolGaN ™晶体管的卓越开关行为来实现 AC-DC 充电器和适配器、低功率电机驱动器和照明应用的高功率密度设计。

特性

  • 超快速切换
  • 无反向恢复电荷
  • 具有反向传导能力
  • 低栅极电荷
  • 低输出电荷
  • 开尔文源连接

产品优势

  • 与分立元件相比，元件数量减少了 2 倍
  • 降低成本
  • 减轻重量
  • 降低系统复杂性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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