IPAN70R450P7S

英飞凌对反激式拓扑的解答
数据手册

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IPAN70R450P7S
IPAN70R450P7S
数据手册

商品详情

  • Ciss
    424 pF
  • Coss
    8 pF
  • ID (@25°C) max
    10 A
  • ID max
    10 A
  • IDpuls max
    25.9 A
  • Ptot max
    22.7 W
  • Qgd
    5 nC
  • QG
    13.1 nC
  • QG (typ @10V)
    13.1 nC
  • RDS (on) max
    450 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    450 mΩ
  • RthJA max
    80 K/W
  • RthJC max
    5.5 K/W
  • Rth
    5.5 K/W
  • VDS max
    700 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO220 FullPAK narrow leads
  • Operating Temperature
    -40 °C to 150 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    price/performance
  • Budgetary Price €/1k
    0.37
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
700V CoolMOS ™ P7 超结 MOSFET 系列专为满足当今以及特别是未来的反激式拓扑趋势而开发，与当今使用的超结技术相比，它提供了根本性的性能提升，可满足低功耗 SMPS 市场的需求，例如手机充电器或笔记本适配器。通过将客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合，700V CoolMOS ™ P7 在以下方面能够最佳地适应目标应用：
  • 效率和热量
  • 易于使用
  • EMI 行为

特性

  • 极低的 FOM R DS(on)  x E oss；更低的 Q g、E on 和 E off
  • 高性能技术
  • 低开关损耗 (E oss)
  • 高效率
  • 优异的热性能
  • 允许高速开关
  • 集成保护齐纳二极管
  • 优化的 V (GS)th 为 3V，公差极窄为 ±0.5V
  • 精细分级的产品组合

产品优势

  • 具有成本竞争力的技术
  • 与 C6 技术相比，效率提升高达 2.4%，器件温度降低 12K
  • 在更高的开关速度下进一步提高效率
  • 支持更小的磁性尺寸，降低 BOM 成本
  • 高达 HBM 2 级的 ESD 防护等级
  • 易于驱动和设计
  • 支持更小的尺寸和高功率密度设计
  • 选择最合适产品的绝佳选择

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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