IPC042N03L3

数据手册

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IPC042N03L3
IPC042N03L3
数据手册

商品详情

  • EAS/Avalanche Energy
    60 mJ
  • RDS (on)
    0.83 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    50 mΩ
  • VBRDSS max
    30 V
  • VDS
    30 V
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1 V to 2.2 V
  • Thickness
    175
  • Technology
    OptiMOS™ 3
  • Polarity
    N
  • Mode
    Enhancement
  • Die Size (-)
    1.53 mm² to 2.78 mm²
  • Die Size (Area)
    4.25 mm²
  • Die Size (Y)
    1.53 mm
  • Die Size (X)
    2.78 mm
  • Output Drivers
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
凭借全新 OptiMOS ™ 30V 产品系列，英飞凌为分立功率 MOSFET 的功率密度和能效树立了新标准。OptiMOS ™ 30V 产品通过改善 EMI 行为并延长电池寿命来满足笔记本电脑电源管理的需求。

特性

  • 一流的导通电阻
  • 由于 R on x Q g 和 R on x Q gd 的最低品质因数，实现了基准开关性能
  • 低栅极电阻
  • 出色的 5V 栅极驱动性能
  • 基于集成阻尼网络优化的 EMI 行为
  • 超级势垒二极管可将效率提高 2% 以上。

产品优势

  • 通过减少多相转换器中的相数来节省总体系统成本
  • 最高效率
  • 采用 S3O8 和 CanPAK ™实现最小占用空间和最高功率密度
  • 易于设计
  • 可由 5V 系统轨驱动，性能卓越

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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