IPS60R210PFD7S

IPS60R210PFD7S

600V CoolMOS ™ PFD7 超结 MOSFET，采用 TO-251 IPAK 短引线封装
数据手册

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IPS60R210PFD7S
IPS60R210PFD7S
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    16 A
  • 最高 ID
    16 A
  • 最高 IDpuls
    42 A
  • 最高 Ptot
    64 W
  • QG
    23 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    210 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    210 mΩ
  • Special Features
    price/performance
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    3.5 V 至 4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    IPAK
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
600V CoolMOS ™ PFD7 超结 MOSFET（IPS60R210PFD7S）是对 CoolMOS ™ 7 消费应用产品的补充。采用 TO-251 IPAK SL 封装的 IPS60R210PFD7S 具有 210mOhm 的 RDS(on)，从而实现低开关损耗。实施快速体二极管可实现坚固耐用的设备，进而减少客户的物料清单 (BOM)。 PFD7，专为实现超高功率密度和最高效率设计。该产品主要针对超高密度充电器、适配器和低功率电机驱动器。600V CoolMOS ™ PFD7 比 CoolMOS ™ P7 和 CE MOSFET 技术具有更高的轻载和满载效率，从而使功率密度提高 1.8W/立方英寸。    

特性

  • 极低的 FOM RDS(on) x Eoss
  • 集成稳健的快速体二极管
  • 高达 2kV 的 ESD 保护
  • 宽范围的 RDS(on) 值
  • 出色的换向稳定性
  • 低 EMI
  • 广泛的封装组合

产品优势

  • 最大限度地减少开关损耗
  • 与最新的 CoolMOS ™充电器技术相比，功率密度有所提高
  • 与适用于低功耗驱动应用的 CoolMOS ™ CE 技术相比，效率更高，热性能更好
  • BOM 成本降低且易于制造
  • 坚固耐用且可靠
  • 易于选择合适的部件进行设计微调

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区