IPS80R2K4P7

效率和散热性能的基准
数据手册

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IPS80R2K4P7
IPS80R2K4P7
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    2.5 A
  • ID max
    2.5 A
  • IDpuls max
    5.3 A
  • Ptot max
    22 W
  • Qgd
    3.4 nC
  • QG
    7.5 nC
  • QG (typ @10V)
    7.5 nC
  • RDS (on) max
    2400 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    2400 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    5.6 K/W
  • Rth
    5.6 K/W
  • VDS max
    800 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    IPAK short leads
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    price/performance
  • Budgetary Price €/1k
    0.27
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
800V CoolMOS ™ P7 超结 MOSFET 系列非常适合低功耗 SMPS 应用，能够充分满足市场对性能、易用性和性价比的需求。它主要专注于反激式应用，包括适配器和充电器、LED驱动器、音频SMPS、AUX和工业电源。 与其前代产品以及在典型反激式应用中测试的竞争产品相比，该新产品系列的效率提高了 0.6%，MOSFET 温度降低了 2°C 至 8°C。它还可以通过更低的开关损耗和更好的 DPAK R DS(on) 产品实现更高的功率密度设计。总体而言，它可以帮助客户节省BOM成本并减少装配工作量。

特性

  • 同类最佳的 FOM R DS(on) * E oss；降低的 Qg、C iss 和 C oss
  • 同类最佳的 DPAK R DS(on) 为 280mΩ
  • 同类最佳的 V (GS)th 为 3V 且最小 V (GS)th 变化为 ± 0.5V
  • 集成齐纳二极管 ESD 保护，最高可达 2 级 (HBM)
  • 同类最佳的质量和可靠性
  • 全面优化的产品组合

产品优势

  • 与 CoolMOS ™ C3 相比，效率提升 0.1% 至 0.6%，MOSFET 温度降低 2°C 至 8°C
  • 实现更高功率密度的设计、节省 BOM 并降低组装成本
  • 易于驱动和设计导入
  • 通过减少 ESD 相关故障来提高生产良率
  • 减少生产问题并减少现场退货
  • 轻松选择合适的部件进行设计微调

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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