现货，推荐
符合RoHS标准

IPT014N08NM5

OptiMOS ™ 5 单 N 沟道功率 MOSFET 80 V，采用 TOLL 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPT014N08NM5
IPT014N08NM5
每件.
数据手册

商品详情

  • Ciss
    11000 pF
  • Coss
    1800 pF
  • ID (@25°C) max
    331 A
  • IDpuls max
    1324 A
  • Ptot max
    300 W
  • QG (typ @10V)
    160 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.4 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • Rth
    0.5 K/W
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Package
    TOLL (HSOF-8)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    8 Pins
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    1.55
受到推崇的
OPN
IPT014N08NM5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IPT014N08NM5 是英飞凌的 OptiMOS ™功率 MOSFET，1.4 mOhm、80 V，采用 TO-Leadless (TOLL) 封装，高电流能力为 331 A（ID @25 ˚C）。英飞凌的 OptiMOS ™ 5 硅技术功率 MOSFET 专为电信和服务器电源的同步整流而设计。结合 TOLL 封装，IPT014N08NM5 针对电池供电应用进行了优化，包括 LV 驱动器、无人机和电动自行车。

特性

  • 低栅极电荷 (Qg) 和 O/P
  • 25˚C 时极低 RDS(on)
  • 高额定电流
  • 针对同步整流进行了优化
  • 非常适合高频开关

产品优势

  • 提高功率密度
  • 降低电压过冲
  • 减少并联需求
  • 提高系统效率
  • 降低开关和传导损耗

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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