IPT014N08NM5
现货，推荐
符合RoHS标准

IPT014N08NM5

OptiMOS ™ 5 单 N 沟道功率 MOSFET 80 V，采用 TOLL 封装
数据手册
封装

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IPT014N08NM5
IPT014N08NM5
数据手册


商品详情

  • Ciss
    11000 pF
  • Coss
    1800 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    331 A
  • 最高 IDpuls
    1324 A
  • 最高 Ptot
    300 W
  • QG (typ @10V)
    160 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.4 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • Rth
    0.5 K/W
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    TOLL (HSOF-8)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.55

推荐的
OPN
IPT014N08NM5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN,MY
晶圆产地
AT,DE,MY

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN,MY
晶圆产地
AT,DE,MY
IPT014N08NM5 是英飞凌的 OptiMOS ™功率 MOSFET，1.4 mOhm、80 V，采用 TO-Leadless (TOLL) 封装，高电流能力为 331 A（ID @25 ˚C）。英飞凌的 OptiMOS ™ 5 硅技术功率 MOSFET 专为电信和服务器电源的同步整流而设计。结合 TOLL 封装，IPT014N08NM5 针对电池供电应用进行了优化，包括 LV 驱动器、无人机和电动自行车。

特性

  • 低栅极电荷 (Qg) 和 O/P
  • 25˚C 时极低 RDS(on)
  • 高额定电流
  • 针对同步整流进行了优化
  • 非常适合高频开关

产品优势

  • 提高功率密度
  • 降低电压过冲
  • 减少并联需求
  • 提高系统效率
  • 降低开关和传导损耗
文档

设计资源

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