现货，推荐
符合RoHS标准

IQDH45N04LM6CG

OptiMOS ™功率 MOSFET 40 V，采用 PQFN 5x6 mm2 Source-Down 封装，具有极低的 RDS(on)
数据手册
每件.
有存货

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IQDH45N04LM6CG
IQDH45N04LM6CG
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    637 A
  • IDpuls max
    2548 A
  • QG (typ @4.5V)
    62 nC
  • QG (typ @10V)
    129 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    0.58 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    0.45 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • 封装
    PQFN 5x6 Source-Down
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Center-Gate
  • 预算价格€/1k
    1.45
推荐的
OPN
IQDH45N04LM6CGATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 PG-TTFN-9
封装名 PQFN 5x6 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称 PG-TTFN-9
封装名 PQFN 5x6 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
功率 MOSFET IQDH45N04LM6CG 40 V 采用 PQFN 5x6 mm2 源极朝下封装。该部件具有 0.45 mΩ 的极低 RDS(ON) 以及出色的热性能，可轻松实现功率损耗管理。这使得各种终端应用（如电池供电工具、SMPS、电信电源以及高性能计算中的中间总线转换，如超大规模数据中心和 AI 服务器场）具有更高的系统效率和功率密度。

特性

  • OptiMOS ™ 40 V，具有出色的 FOM
  • 具有散热功能的 Source-Down 封装
  • 具有最大化芯片比的 Source-Down 封装
  • 采用中心栅极封装的 Source-Down 封装

产品优势

  • 最小化传导损耗
  • 降低电压过冲
  • 提高最大电流能力
  • 快速开关
  • 减少器件并联
  • 中心栅极实现最佳并联
  • 5x6 mm² PCB 上最低的 RDS(on)
  • 增强的热管理
  • 最小的寄生效应，最佳的开关
  • 行业标准封装

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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