IQE004NE1LM7CGSC
现货，推荐
符合RoHS标准

IQE004NE1LM7CGSC

OptiMOS ™ 7 功率 MOSFET 15 V，采用 PQFN 3.3x3.3源极向下中心栅极，采用双面冷却
数据手册
封装

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IQE004NE1LM7CGSC
IQE004NE1LM7CGSC
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    379 A
  • QG (typ @4.5V)
    29 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    0.57 mΩ
  • 最高 VDS
    15 V
  • VGS(th) 范围
    1.2 V 至 2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • 封装
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Logic Level, Switching optimized, Dual-Side Cooling
  • 预算价格€/1k
    0.89
推荐的
OPN
IQE004NE1LM7CGSCATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WHTFN-9
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
封装尺寸 6000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WHTFN-9
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
封装尺寸 6000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IQE004NE1LM7CGSC 是业内首批 15 V 沟槽功率 MOSFET 产品组合的一部分。与 OptiMOS ™ 5 25 V 相比，击穿电压降低可使 RDS(on) 和 FOMQg 提高约 30%，FOMQOSS 提高约 40%。Center-Gate 占用空间经过优化，并行化程度较高。双面冷却功能增强了热管理能力，将高功率 SMPS 应用中的功率密度和效率提升到新的水平。

特性

  • 全新 15 V 沟槽功率 MOSFET 技术
  • RDS(on) 为 0.45 mOhm
  • 出色的 FOMQOSS/FOMQg
  • 超低封装寄生效应
  • 中心栅极占位面积
  • 双面冷却型号

产品优势

  • 高比率 DC-DC 转换的最佳匹配
  • 降低传导损耗
  • 高效率
  • 最佳开关性能
  • 中心栅极，实现理想的并联
  • 更好的热管理

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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