现货，推荐
符合RoHS标准

IQE013N04LM6CG

OptiMOS ™低压功率 MOSFET 40V，PQFN 3.3x3.3具有行业领先 RDS(on) 的源极向下中心栅极封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IQE013N04LM6CG
IQE013N04LM6CG
每件.
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    205 A
  • IDpuls max
    820 A
  • Ptot max
    107 W
  • QG (typ @10V)
    41 nC
  • QG (typ @4.5V)
    20 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.35 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.9 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • Package
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Special Features
    Center-Gate
  • Budgetary Price €/1k
    0.75
受到推崇的
OPN
IQE013N04LM6CGATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TTFN-9
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TTFN-9
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IQE013N04LM6CG，创新型 OptiMOS ™功率 MOSFET 源极向下 40 V，1.35mOhm，3.3x3.3PQFN 源极朝下中心栅极封装。这款一流的功率 MOSFET 挑战了终端应用中功率密度和外形尺寸的现状，最大限度地减少了 PCB 面积要求的内部限制，实现了人体工程学设计并优化了最终用户体验。

特性

  • RDS(on) 降低高达 25%
  • RthJC 的卓越热性能
  • 优化的布局可能性
  • 标准和中心栅极占位面积

产品优势

  • 高电流能力
  • 更有效地利用 PCB 面积
  • 最高的功率密度和性能
  • 用于 MOSFET 并联的中心栅极

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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