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现货，推荐
符合RoHS标准

IQEH46NE2LM7UCGSC

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OptiMOS™ 7 25V 开关优化型功率 MOSFET，适用于硬开关和软开关，采用 PQFN 3.3x3.3 封装Source-Down 封装
数据手册
封装

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IQEH46NE2LM7UCGSC
IQEH46NE2LM7UCGSC
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    440 A
  • IDpuls max
    1760 A
  • QG (typ @10V)
    57 nC
  • QG (typ @4.5V)
    27 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.46 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    0.76 mΩ
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • 封装
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Logic Level, Hard-switching optimized
推荐的
OPN
IQEH46NE2LM7UCGSCATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WHTFN-9
封装名 N/A
包装尺寸 6000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WHTFN-9
封装名 -
包装尺寸 6000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS™ 7 25 V 实现全新维度的应用优化水准，可赋能数据中心、服务器、人工智能等应用发挥最佳性能。 该产品组合提供两种技术版本，包括针对硬开关和软开关拓扑优化的产品。 针对硬开关优化的产品具有出色的米勒比率、FOM 和 RDS(on) 10，而针对软开关优化的产品则提供超低的 RDS(on)45 和 FOMQg。

特性

  • 硬开关和软开关优化
  • 硬开关：米勒比率、FOM、RDS(on)10
  • 软开关：RDS(on)45、FOMQg
  • +175°C 结温等级
  • Source-Down 封装变体
  • 中心栅极封装、DSC 和包覆成型

产品优势

  • 针对特定应用的优化
  • 性能和效率提升
  • 先进的感应导通鲁棒性
  • 减少驱动器和开关损耗
  • 减少通态损耗
  • 提高可靠性和功率密度
  • 优异的散热性能
  • 减少封装寄生
  • MOSFET 的简化并联

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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