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IRF1010N
停产
已停产
符合RoHS标准

IRF1010N

停产
采用 TO-220 封装的 55V 单 N 沟道功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRF1010N
IRF1010N
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    85 A
  • 最高 Ptot
    130 W
  • Qgd
    27.3 nC
  • QG (typ @10V)
    80 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    11 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.2 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    55 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.58

OPN
IRF1010NPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对低于 <100kHz 开关应用进行了硅优化
  • 行业标准通孔功率封装
  • 高额定电流

产品优势

  • 增强坚固性
  • 分销合作伙伴广泛供应
  • 行业标准资质
  • 低频应用中的高性能
  • 标准引脚排列允许直接替换
  • 高电流能力

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区