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符合RoHS标准

IRF1310N

采用 TO-220 封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET
数据手册
封装
每件.
有存货

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IRF1310N
IRF1310N
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    42 A
  • Ptot max
    160 W
  • Qgd
    38.7 nC
  • QG (typ @10V)
    73.3 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    36 mΩ
  • RthJC max
    0.95 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO-220
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    0.53
受到推崇的
OPN
IRF1310NPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 符合 JEDEC 的产品认证
  • 针对应用进行了优化的硅片
  • 行业标准表面贴装电源
  • 高额定电流

产品优势

  • 增强坚固性
  • 分销渠道广泛
  • 行业标准认证
  • 高性能、低频率
  • 现有设备的直接替代品
  • 高电流能力

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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