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停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRF7759L2

停产
采用 DirectFET ™ L8 封装的 75V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET
数据手册

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IRF7759L2
IRF7759L2
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    160 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    3.3 W
  • Ptot max
    125 W
  • Qgd
    62 nC
  • QG (typ @10V)
    200 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.3 mΩ
  • RthJC max
    1.2 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    75 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DirectFET (L)
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 微型模板
    IRF66L8-25
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    2.44
OPN
IRF7759L2TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 MG-WDSON-11
封装名 DirectFET (L)
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 MG-WDSON-11
封装名 DirectFET (L)
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 高额定电流
  • 双面冷却能力
  • 封装高度低至 0.7 毫米
  • 低寄生 (1-2 nH) 电感封装
  • 100% 无铅（无 RoHS 豁免）

产品优势

  • 分销合作伙伴广泛供应
  • 行业标准资质水平
  • 高载流能力
  • 最佳热性能
  • 紧凑的外形
  • 高效率
  • 环保

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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