IRF8252

25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET,采用无铅 SO-8 封装,专为高效 DC-DC 转换器而设计

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IRF8252
IRF8252

商品详情

  • ID (@ TA=70°C) max
    20 A
  • ID (@ TA=25°C) max
    25 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.5 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG
    35 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.7 mΩ
  • RDS (on) max
    2.7 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    3.7 mΩ
  • RthJA max
    50 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    25 V
  • VGS max
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO-8
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定

应用

文档

设计资源

开发者社区

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