IRF8252

IRF8252

25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用无铅 SO-8 封装，专为高效 DC-DC 转换器而设计
数据手册

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IRF8252
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商品详情

  • 最高 ID (@ TA=70°C)
    20 A
  • 最高 ID (@ TA=25°C)
    25 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.5 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG
    35 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.7 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    2.7 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    3.7 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    25 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO-8
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区