IRF8910G

IRF8910G

采用 SO-8 封装的无卤素和无铅 20V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRF8910G
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数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@ TA=25°C)
    10 A, 10 A
  • 最高 ID (@ TA=70°C)
    8.3 A, 8.3 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2 W
  • Qgd (typ)
    2.5 nC
  • QG
    7.4 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    13.4 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    18.3 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    13.4 mΩ
  • 最高 RthJA
    62.5 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    20 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 封装
    SO-8
  • 极性
    N+N, N+N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 4.5V VGS 时 RDS(ON) 较低
  • 超低栅极阻抗
  • 双 N 沟道 MOSFET

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区