IRF8910G

采用 SO-8 封装的无卤素和无铅 20V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRF8910G
IRF8910G
数据手册

商品详情

  • ID (@ TA=25°C) max
    10 A, 10 A
  • ID (@ TA=70°C) max
    8.3 A, 8.3 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2 W
  • Qgd (typ)
    2.5 nC
  • QG
    7.4 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    13.4 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    18.3 mΩ
  • RDS (on) max
    13.4 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    20 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    SO-8
  • Polarity
    N+N, N+N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 4.5V VGS 时 RDS(ON) 较低
  • 超低栅极阻抗
  • 双 N 沟道 MOSFET

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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