IRF8915

采用 SO-8 封装的 20V 双 N 沟道功率 MOSFET
数据手册

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IRF8915
IRF8915
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    8.9 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2 W
  • Qgd (typ)
    1.7 nC
  • QG (typ @4.5V)
    4.9 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    18.3 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    27 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    20 V
  • VGS(th)
    2.1 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    SO-8
  • Polarity
    N+N, N+N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 行业标准表面贴装封装
  • 针对低于 <100kHz 开关应用进行了硅片优化

产品优势

  • 分销合作伙伴广泛供应
  • 行业标准资质水平
  • 标准引脚排列，可直接替换
  • 低频应用中的高性能

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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