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IRFMG40A
IRFMG40A

商品详情

  • ID (@100°C) max
    2.5 A
  • ID (@25°C) max
    3.9 A
  • RDS (on) (@25°C) max
    3500 mΩ
  • VBRDSS min
    1000 V
  • Package
    TO-254AA
  • Polarity
    N
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRFMG40A 是一款高可靠性、1000V、单 N 沟道 MOSFET,采用 TO-254AA 封装,引线朝下。它利用 HEXFET MOSFET 技术实现低导通电阻、高跨导以及卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。非常适合电源、电机控制、斩波器、音频放大器和其他高能脉冲电路应用。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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