IRHE3110SCS
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IRHE3110SCS

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封装

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IRHE3110SCS
IRHE3110SCS
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • 最高 ID (@100°C)
    2.2 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3.5 A
  • QG
    11 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    600 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    18-pin LCC
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    1
  • 质量等级
    QIRL

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 MOSFET
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 MOSFET
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHE3110SCS 是一款 100V、3.5A 单抗辐射 MOSFET，采用密封 18 针 LCC 封装。该 QIRL 空间级设备经过 SEE 强化，电气性能高达 300krad(Si)。该器件具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低 DC-DC 转换器和电机控制等开关应用中的功率损耗。经过飞行验证的卫星平台和有效载荷系统电源设计选择。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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