IRHE67230SCS
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IRHE67230SCS

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封装

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IRHE67230SCS
IRHE67230SCS
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    8 A
  • QG
    50 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    175 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    18-pin LCC
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    3
  • 质量等级
    QIRL

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 MOSFET
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-LCC-18
封装名 LCC-18 MOSFET
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射、200V、8A、单个、N 通道 MOSFET IRHE67230SCS 采用密封 18 针 LCC 封装。该 QIRL 部件符合 MIL-PRF-19500 空间应用的 JANS 筛选流程。这款 R6 设备经过 SEE 强化，其有用性能高达 100 krad(Si) TID，非常适合卫星总线和有效载荷电源系统中的电力推进、电机驱动、DC-DC 转换器和热管理。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区