IRHF6S7230SCS

数据手册

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IRHF6S7230SCS
IRHF6S7230SCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    5.7 A
  • ID (@25°C) max
    9.1 A
  • QG
    45 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    145 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHF6S7230SCS R6 N 沟道 MOSFET 是一款专为空间应用而设计的抗辐射设备。该器件的最大额定电压为 200V，额定电流为 9.1A，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低开关应用中的功率损耗。其电气性能高达 100krad（Si）TID，QIRL 分类，使其成为苛刻空间环境的可靠选择。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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