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IRHLF77110

数据手册
封装

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IRHLF77110
IRHLF77110
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    3.7 A
  • ID (@25°C) max
    6 A
  • QG
    13.5 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    320 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLF77110 是采用 TO-205AF 封装的 60V、6A 抗辐射 N 沟道 MOSFET。其电气性能高达 100krad(Si) TID，并具有单粒子栅极破裂和烧毁免疫力。由于 R7 器件符合 COTS 分类且阈值电压始终处于工作限值内，因此非常适合与逻辑门、微控制器以及其他以 3.3-5V 电源运行的器件进行连接。它还可用于增加输出电流。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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