IRHLF77110
现货，推荐

IRHLF77110

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHLF77110
IRHLF77110
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    3.7 A
  • 最高 ID (@25°C)
    6 A
  • QG
    13.5 nC
  • QPL部件号
    2N7608T2
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    320 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-205AF
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLF77110 是采用 TO-205AF 封装的 60V、6A 抗辐射 N 沟道 MOSFET。其电气性能高达 100krad(Si) TID，并具有单粒子栅极破裂和烧毁免疫力。由于 R7 器件符合 COTS 分类且阈值电压始终处于工作限值内，因此非常适合与逻辑门、微控制器以及其他以 3.3-5V 电源运行的器件进行连接。它还可用于增加输出电流。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区