现货，推荐

IRHLF87Y20

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHLF87Y20
IRHLF87Y20
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    10.2 A
  • ID (@25°C) max
    12 A
  • QG
    27 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    32 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    20 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R8
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1.7
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IIRHLF87Y20 是单个 R8 N 沟道 MOSFET，专为辐射环境而设计，容量为 20V、12A。COTS MOSFET 具有高达 100krad(Si) TID 的电气性能，具有抗辐射性能，采用 TO-205AF 封装。它具有对单粒子烧毁和栅极破裂的免疫力，使其成为与逻辑门和线性集成电路接口的理想选择。该设备还为电源设备提供了一个简单的解决方案。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }