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32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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IRHLNM83Y20
商品详情
-
ESD等级Class 1B
-
ID (@100°C) max17 A
-
ID (@25°C) max17 A
-
QG26 nC
-
RDS (on) (@25°C) max15 mΩ
-
TID max300 Krad(Si)
-
VBRDSS20 V
-
VF max1 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300
-
封装SMD-0.2
-
极性N
-
生成R8
-
电压等级100 V
-
芯片尺寸1.7
-
认证标准COTS
-
语言SPICE
-
配置Discrete
|
OPN
|
||
|---|---|---|
| 产品状态 | not for new design | |
| 英飞凌封装名称 | ||
| 封装名 | SMD-0.2 Metal Lid | |
| 包装尺寸 | N/A | |
| 包装类型 | N/A | |
| 湿度 | N/A | |
| 防潮包装 | N/A | |
| 无铅 | No | |
| 无卤素 | No | |
| 符合RoHS标准 | No | |
|
Infineon stock last updated:
|
||
|
|
||
| 产品状态 | not for new design |
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | SMD-0.2 Metal Lid |
| 包装尺寸 | 0 |
| 包装类型 | |
| 湿度 | - |
| 防潮包装 | |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
IRHLNM83Y20 是一款 SMD-0.2 封装的抗辐射单 R8 N 沟道 MOSFET封装，额定电压为20V，额定电流为17A。它可抵抗单事件栅极破裂和烧毁，同时在辐射环境中保持可接受的阈值电压操作。它非常适合将 CMOS 和 TTL 电路连接到空间电源设备，可以增加 PWM、电压比较器或运算放大器的输出电流。