不建议用于新设计

IRHLNM87Y20

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

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IRHLNM87Y20
IRHLNM87Y20
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    17 A
  • ID (@25°C) max
    17 A
  • QG
    26 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    15 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    20 V
  • VF max
    1 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R8
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1.7
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLNM87Y20 是一款 SMD-0.2 封装的单 N 沟道 MOSFET封装，具有抗辐射设计，可处理高达 300krad(Si) TID。其额定电压为 20V，额定电流为 17A，为将 CMOS 和 TTL 控制电路与太空和其他辐射环境中的电源设备连接起来提供了解决方案。该设备在与大多数逻辑门、线性 IC 和微控制器连接时，保持单粒子门破裂和单粒子烧毁免疫力。

应用

文档

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