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IRHLNM87Y20

数据手册
封装

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IRHLNM87Y20
IRHLNM87Y20
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    17 A
  • ID (@25°C) max
    17 A
  • QG
    26 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    15 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    20 V
  • VF max
    1 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.2
  • Polarity
    N
  • Generation
    R8
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    1.7
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLNM87Y20 是一款 SMD-0.2 封装的单 N 沟道 MOSFET封装，具有抗辐射设计，可处理高达 300krad(Si) TID。其额定电压为 20V，额定电流为 17A，为将 CMOS 和 TTL 控制电路与太空和其他辐射环境中的电源设备连接起来提供了解决方案。该设备在与大多数逻辑门、线性 IC 和微控制器连接时，保持单粒子门破裂和单粒子烧毁免疫力。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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