不建议用于新设计

IRHLNMC7S3214

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

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IRHLNMC7S3214
IRHLNMC7S3214
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    2 A
  • ID (@25°C) max
    3.2 A
  • QG
    13 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    1100 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLNMC7S3214 R7 MOSFET 是一款抗辐射、250V、3.2A N 沟道 MOSFET，采用 SMD-0.2封装其电气性能高达300krad(Si)TID分类。它为将 CMOS 和 TTL 控制电路与太空和其他辐射环境中的电源设备连接起来提供了一种简单的解决方案，同时保持单事件门破裂。阈值电压在整个温度范围内保持在可接受的工作限度内。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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