IRHLNMC7S3214

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This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
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IRHLNMC7S3214
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商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    2 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3.2 A
  • QG
    13 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1100 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 芯片尺寸
    1
  • 质量等级
    COTS

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHLNMC7S3214 R7 MOSFET 是一款抗辐射、250V、3.2A N 沟道 MOSFET，采用 SMD-0.2封装其电气性能高达300krad(Si)TID分类。它为将 CMOS 和 TTL 控制电路与太空和其他辐射环境中的电源设备连接起来提供了一种简单的解决方案，同时保持单事件门破裂。阈值电压在整个温度范围内保持在可接受的工作限度内。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区