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IRHM7250SESCS

数据手册
封装

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IRHM7250SESCS
IRHM7250SESCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    16 A
  • ID (@25°C) max
    26 A
  • QG
    180 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    100 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.9 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-254AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    5
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
这款 N 沟道 MOSFET，IRHM7250SESCS，是一款专为空间应用而设计的单个高性能功率器件。该器件额定电压为 200V，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，非常适合 DC-DC 转换器和电机控制。该设备具有抗辐射性能，并已针对总剂量和单粒子效应 (SEE) 进行了表征，电气性能高达 100krad(Si) TID。该 COTS 部件采用标准 TO-254AA 封装。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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