IRHM7250SESCS
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IRHM7250SESCS

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IRHM7250SESCS
IRHM7250SESCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    16 A
  • 最高 ID (@25°C)
    26 A
  • QG
    180 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    100 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.9 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-254AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    5
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
这款 N 沟道 MOSFET，IRHM7250SESCS，是一款专为空间应用而设计的单个高性能功率器件。该器件额定电压为 200V，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，非常适合 DC-DC 转换器和电机控制。该设备具有抗辐射性能，并已针对总剂量和单粒子效应 (SEE) 进行了表征，电气性能高达 100krad(Si) TID。该 COTS 部件采用标准 TO-254AA 封装。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区