IRHMS57260SESCS

数据手册

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IRHMS57260SESCS
IRHMS57260SESCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    29 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    165 nC
  • QPL部件号
    2N7476T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    44 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHMS57260SESCS 是一款抗辐射 R5 N 沟道 MOSFET，可处理高达 200V 和 45A 的电压和电流，非常适合空间应用。它采用 TO-254AA 低欧姆封装，电气性能高达 100krad(Si) TID，符合 QIRL 分类。凭借低 RDS(on) 和栅极电荷能力，它在开关应用中非常高效，同时保留了 MOSFET 的所有优点。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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