IRHMS9A3064SCS

数据手册

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IRHMS9A3064SCS
IRHMS9A3064SCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    194 nC
  • QPL部件号
    2N7652T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    7 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    QIRL
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHMS9A3064SCS 是一款 R9 抗辐射 N 沟道 MOSFET，额定电压为 60V，额定电流为 45A，专为空间应用而设计。它具有低 RDS(on)、更快的开关速度以及更好的抗 SEE 能力。其电性能特征为TID高达300krad(Si)，LET高达90MeV·cm2/mg。该 QIRL 器件采用 TO-254AA 低欧姆封装，引线朝下。

应用

文档

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设计资源

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