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IRHMS9A3264

数据手册
封装

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IRHMS9A3264
IRHMS9A3264
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    165 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    19.5 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    300
  • Package
    TO-254AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R9
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHMS9A3264 是一款抗辐射 R9 N 沟道 MOSFET，具有更高的抗 SEE 能力，电气性能高达 300krad(Si) TID。其低 RDS(on) 和快速开关时间可提高功率密度并降低空间卫星总线和有效载荷电源系统中高速开关应用中的功率损耗。采用 SupIR-SMD 封装，具有电压控制、快速切换和电气参数稳定性等优势。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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