IRHMS9A3264
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IRHMS9A3264

数据手册
封装

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IRHMS9A3264
IRHMS9A3264
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    45 A
  • 最高 ID (@25°C)
    45 A
  • QG
    165 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    19.5 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    300
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHMS9A3264 是一款抗辐射 R9 N 沟道 MOSFET，具有更高的抗 SEE 能力，电气性能高达 300krad(Si) TID。其低 RDS(on) 和快速开关时间可提高功率密度并降低空间卫星总线和有效载荷电源系统中高速开关应用中的功率损耗。采用 TO-254AA Low Ohmic 封装，具有电压控制、快速切换和电气参数稳定性等优势。  

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区