IRHN7450SESCS
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IRHN7450SESCS

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封装

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IRHN7450SESCS
IRHN7450SESCS
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    7 A
  • 最高 ID (@25°C)
    12 A
  • QG
    150 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    510 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • 最高 VF
    1.6 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-1
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    5
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHN7450SESCS R4 MOSFET 是采用 SMD-1 封装的单抗辐射 N 沟道器件，额定电压为 500V，电流为 12A。它是空间应用的理想选择，电气性能高达 100krad(Si) TID 和 QIRL 分类。这些器件具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低 DC-DC 转换器和电机控制中的功率损耗。它们提供电压控制、快速切换和电气参数的温度稳定性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区