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32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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- EZ-PD™ CCG8 双/单口 USB-C PD
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IRHNA53160
商品详情
-
ESD等级Class 3B
-
ID (@100°C) max69 A
-
ID (@25°C) max75 A
-
QG160 nC
-
QPL部件号2N7469U2
-
RDS (on) (@25°C) max12 mΩ
-
TID max300 Krad(Si)
-
VBRDSS100 V
-
VF max1.2 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300 500
-
封装SMD-2
-
极性N
-
生成R5
-
电压等级100 V
-
芯片尺寸6
-
认证标准COTS
-
语言SPICE
-
配置Discrete
| 推荐的 | ||
|
OPN
|
||
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| 英飞凌封装名称 | ||
| 封装名 | SMD-2 standard | |
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| 湿度 | N/A | |
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| 无铅 | No | |
| 无卤素 | No | |
| 符合RoHS标准 | No | |
|
Infineon stock last updated:
|
||
|
|
||
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | SMD-2 standard |
| 包装尺寸 | 0 |
| 包装类型 | |
| 湿度 | - |
| 防潮包装 | |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
IRHNA53160 R5 抗辐射 N 沟道 MOSFET，采用 SMD-2 封装，是一款适用于空间应用的高性能功率 MOSFET。该 MOSFET 具有 100V 额定电压和 69A 电流处理能力，具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低 DC-DC 转换器和电机控制应用中的功率损耗。其电气性能高达 300krad(Si) TID，并且符合 COTS 标准，可在太空任务中提供可靠的性能。