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IRHNA57160

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IRHNA57160
IRHNA57160

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    69 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL部件号
    2N7469U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    12 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNA57160 R5 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射设备,额定电压为 100V,电流为 69A。其低 RDS(on) 和栅极电荷为 DC-DC 转换器和电机控制提供了高功率效率。该 COTS 设备专为空间应用而设计,具有经过验证的总剂量和单粒子效应特性。SMD-2封装采用引线朝下形式,电气性能高达100krad(Si) TID。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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