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IRHNA57163SE

数据手册
封装

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IRHNA57163SE
IRHNA57163SE
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    62 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL部件号
    2N7472U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    13.5 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    130 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-2
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNA57163SE R5 N 沟道 MOSFET 是一款专为空间应用设计的紧凑型 COTS 器件。凭借其抗辐射、130V、62A 特性，它可提供高达 100Krad(Si) TID 的电气性能。其低栅极电荷和 RDS(on) 非常适合 DC-DC 转换器和电机控制，同时仍提供 MOSFET 功能，如电压控制、快速开关和温度稳定性。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }